激光晶化
❶ 大家谁知道非晶硅薄膜如何晶化啊急
非晶硅晶化方法分为:传统的固相结晶法、激光晶化和金属诱导晶化三种;
传统的固相结晶法,就是非晶硅沉积后,高温热处理,温度大概600度以上;
激光晶化,就是非晶硅沉积后,利用激光照射非晶硅,促使其晶化;
金属诱导晶化,就是非晶硅沉积后,再在其上沉积一层金属,然后进行热处理,热处理温度较低,大概400度左右。
当前热门方法为金属诱导晶化,金属可以为AL、Ni等材质。
❷ 激光晶化是什么意思
是一种物质的处理,其利用瞬间激光脉冲产生的高能量入射要处理的物质,激光可以使该物质瞬间上升到摄氏1000多度左右,使其从一种状态转变成晶体状态。
❸ OLED 和 LTPS 这两个屏幕那个好
LTPS-TFT LCD具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点,加上由于LTPS-TFT LCD的硅结晶排列较a-Si有次序,使得电子移动率相对高100倍以上,可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上,达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。
同时,由于驱动IC线路直接制作于面板上,可以减少组件的对外接点,增加可靠度、维护更简单、缩短组装制程时间及降低EMI特性,进而减少应用系统设计时程及扩大设计自由度。
LTPS-TFT LCD最高技术是做到System on Panel,第1代LTPS-TFT LCD利用内建驱动电路和高性能画素晶体管而达到高分辨率和高亮度效果,已使得LTPS-TFT LCD和a-Si产生极大差别。
第2代LTPS-TFT LCD透过电路技术之进步,由模拟式接口进入数字式接口,降低耗电。此代LTPS-TFT LCD载子迁移率是a-Si TFT 100倍,电极图案线宽是4μm左右,尚未充分活用LTPS-TFT LCD特性。
第3代LTPS-TFT LCD在周边大规模集成电路(LSI)整合比第2代更完备,其目的是:(1)没有周边零件可使模块更轻薄,也可以减少零件数量和组装工时;(2)简化信号处理可降低电力消耗;(3)搭载内存可让消耗电力降至最低。
由于LTPS-TFT LCD液晶显示器具有高分辨率、高色彩饱和度、成本低廉的优势,被寄予厚望成为新一波的显示器。藉由其高电路整合特性与低成本的优势,在中小尺寸显示面板的应用上有着绝对的优势。
ltps和ips屏幕区别在哪里_哪个好
但是p-Si TFT存在两个问题,一是TFT的关态电流(即漏电流)较大(Ioff=nuVdW/L);二是高迁移率p-Si材料低温大面积制备较困难,工艺上存在一定的难度。
它是由TFT LCD衍生的新一代的技术产品。LTPS屏幕是通过对传统非晶硅(a-Si)TFT-LCD面板增加激光处理制程来制造的,元件数量可减少40%,而连接部分更可减少95%,极大的减少了产品出现故障的几率。这种屏幕在能耗及耐用性方面都有极大改善,水平和垂直可视角度都可达到170度,显示响应时间达12ms,显示亮度达到500尼特,对比度可达500:1。
低温p-Si驱动器的集成方式主要有三种:
一是扫描和数据开关的混合集成方式,即行电路集成在一起,开关及移位寄存器集成在列电路内,多路寻址驱动器和放大器等用继承电路外接在平板显示屏上;
二是所有驱动电路全集成在显示屏上;
三是驱动和控制电路均集成在显示屏上。
IPS屏幕
IPS屏幕就是基于TFT的一种技术,其实质还是TFT屏幕。IPS屏幕(In-Plane Switching,平面转换)技术是日立公司于2001推出的液晶面板技术,俗称“Super TFT”。不过在市场能看到得型号不是很多。
特点
IPS面板最大的特点就是它的两极都在同一个面上,而不像其它液晶模式的电极是在上下两面,立体排列。该技术把液晶分子的排列方式进行了优化,采取水平排列方式,当遇到外界压力时,分子结构向下稍微下陷,但是整体分子还呈水平状。在遇到外力时,硬屏液晶分子结构坚固性和稳定性远远优于软屏!所以不会产生画面失真和影响画面色彩,可以最大程度的保护画面效果不被损害。此外还有一种S-IPS面板属于IPS的改良型。
由于IPS技术的性能优异,许多厂家开始大量使用硬屏,大力推广IPS硬屏技术,为消费者提供更高清晰和性能的液晶电视。硬屏液晶电视已经成为彩电行业的主流产品。
❹ a-SiGe的名称是什么
a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化
❺ 准分子激光退火和准分子激光晶化的区别
激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°~1200℃)保温退火10~60min[1].
❻ 光功能复合材料
要具体就举个光功能透明玻璃陶瓷方面的吧。
制备透明玻璃陶瓷的方法主要有以下三种:
1)融熔急冷法。这是制备玻璃陶瓷的传统方法,
现在仍然广泛使用。其工艺过程是:在份体原料中加
人一定量的晶核剂,于高温均匀融熔后,将熔体倒人
模具冷却成型,经适当退火消除内应力,得到前驱玻
璃相。此后,在一定温度下热处理,通过特定第二相的
可控晶化获得玻璃陶瓷。该工艺简便快捷,成本较低,
但原料高温融熔过程中的组分挥发和柑祸污染易使
材料最终组分偏离设计值。玻璃陶瓷的尺寸由玻璃熔
体急冷时使用的铜模具所决定,在目前工艺条件下,
要保持良好的组分、结构一致性和光透明性,玻璃陶
瓷一般为直径不大于100 mm的圆片。随着制备技术
的改善,如采用双辊压延工艺代替模具实现熔体急
冷,将大幅提高透明玻璃陶瓷片的面积。
2)溶胶一凝胶法。将易于水解的金属化合物(无机
盐或金属醇盐)在溶剂中与水发生反应,经过水解和
缩聚生成凝胶,再经干燥以及加热晶化后得到所需材
料。近十多年来,这种方法成为玻璃与陶瓷等先进材
料制备技术的研究热点。该方法具有处理温度低(特
别适用于高熔点材料)、组分可以精确控制并在分子
水平上均匀分布等优点。但块体材料的化学稳定性和
机械性能较差使其应用受到限制。此外,材料里易残
留大量的经基和碳,对材料的发光有很大的负面影
响。
3)激光诱导晶化法。利用激光对玻璃样品进行连
续辐照,可以使少量的玻璃相在激光斑点区域受热熔
融,随后在冷却过程中发生晶相成核与长大,在玻璃
基体中形成具有相同化学组分的晶体。近来,随着激
光技术的迅速发展,采用不同波长、不同模式的激光
器开展玻璃相内诱导晶体可控生长的研究屡见报
道f4-?1,显示了激光诱导晶化法在制备特殊结构玻璃
陶瓷方面的独特优势。值得指出的是,该法目前尚处
于初始发展阶段,技术方面还有许多不成熟之处,如
对诱导出的晶体的形状、尺度和种类还不能进行有效
的控制。
❼ AMOLED技术有哪些
AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板,AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。因为AMOLED不管在画质、效能及成本上,先天表现都较TFT LCD优势很多。
在显示效能方面,AMOLED反应速度较快、对比度更高、视角也较广,这些是AMOLED天生就胜过TFT LCD的地方;另外AMOLED具自发光的特色,不需使用背光板,因此比TFT更能够做得轻薄,而且更省电;还有一个更重要的特点,不需使用背光板的AMOLED可以省下占TFT LCD 3~4成比重的背光模块成本。
当然AMOLED最大的问题还是在良率,以目前的良率,AMOLED面板的价格足足高出TFT LCD 50%,这对客户大量采用的意愿,绝对是一个门槛,而对奇晶而言,现阶段也还在调良率的练兵期,不敢轻易大量接单。
AMOLED技术有:
(1)金属氧化物技术(Metal oxide TFT)
这种生产技术目前被很多厂家及专业调查公司看好,并认为是将来大尺寸AMOLED技术路线的首选,各个公司也有相应的大尺寸样品展出。
该技术TFT基板在加工过程中,可采取液晶行业中常见的、成熟的大面积的溅镀成膜的方式,氧化物为InGaO3(ZNO)5,尽管这种器件的电子迁移率较LTPS技术生产出来的产品要低,基本为10 cm2/V-sec,但这个迁移率参数为非晶硅技术器件的10倍以上,该器件电子迁移率完全能够满足AMOLED的电流驱动要求,因此可以应用于OLED的驱动。
目前金属氧化物技术还处于实验室验证阶段,世界上没有真正进行过量产的经验,主要的因素是其再现性及长期工作稳定性还需要进一步改善和确认。
(2)低温多晶硅技术(LTPS TFT)
该技术是目前世界上唯一经过商业化量产验证、在G4.5代以下生产线相当成熟的AMOLED生产技术。
该技术和非晶硅技术主要的区别是利用激光晶化的方式,将非晶硅薄膜变为多晶硅,从而将电子迁移率从0.5提高到50-100 cm2/V-s,以满足OLED电流驱动的要求。
该技术经过多年的商业化量产,产品性能优越,工作稳定性好,同时在这几年的量产中,其良品率已得到很大的提高,达到90%左右,极大的降低了产品成本。
(3)非晶硅技术(a-Si TFT)
非晶硅技术最成功的应用是在液晶生产工艺中,目前的LCD 厂家,除少数使用LTPS技术外,绝大部分使用的是a-Si技术。
a-Si技术在液晶领域成熟度高,其器件结构简单,一般都为1T1C(1个TFT薄膜晶体管电路,1个存储电容),生产制造使用的Mask数量为4—5,目前也有厂家在研究3Mask工艺。
(4)微晶硅技术(Microcrystalline Silicon TFT)
微晶硅技术在材料使用和膜层结构上,和LCD常见的非晶硅技术基本上是相同的。
微晶硅技术器件的电子迁移率可达到1—10 cm2/V-s,是目前索尼选择的技术。
这种技术虽然也能达到驱动OLED的目的,但由于其电子迁移率低,器件显示效果差,目前选择作为研究方向的厂家较少。
(5)、有机膜蒸镀技术路线选择
有机层形成方式,可分为传统方式和新型方式。传统方式是以气相沉积技术为基础的,而新兴方式是以转印和印刷技术为基础的。
新兴方式中转印技术由三星和3M联合开发和研制;印刷技术主要由爱普生开发和研制。这两种方法最大的优点是提高材料使用率和简化生产制程,但其技术和材料具有一定的垄断性,目前还不具备量产的能力。
(6)、光射出方式技术路线选择
目前OLED器件有两种光出射方式:底发光和顶发光,下表是这两种方式的对比:
底发光技术工艺成熟,选择风险小,甚至没有风险。顶发光制作工艺有两个难点,一是阴极制作,另一个就是封装方式。尽管顶部发光困难尚存,但已是趋势所在(最少在背板材料没有新的突破下)。但从长远看,如果背板材料有了新的突破,如迁移率和均匀性得到质的改善,那么底发光就有更低成本的优势。总体而言,采用a-Si背板,顶发光是较好的选择;P-Si背板就可以考虑底发光方式。
❽ 请详细介绍一下南京大学物理学科方面的相关信息
NJU
物理学院 3年来的国内读研率 出国进修率
2011
49.25% 21.89%
2010
55.43% 28.80%
2009
41.41% 33.84%
数据来自官方,出国率不如北大与科大的物理系,出路主要是继续读研,少数的人选择了工作
南大物理系很好,上次应该是教育部学科评估的第一。
如有疑问,请继续追问