激光晶化

❶ 大家誰知道非晶硅薄膜如何晶化啊急

非晶硅晶化方法分為：傳統的固相結晶法、激光晶化和金屬誘導晶化三種；
傳統的固相結晶法，就是非晶硅沉積後，高溫熱處理，溫度大概600度以上；
激光晶化，就是非晶硅沉積後，利用激光照射非晶硅，促使其晶化；
金屬誘導晶化，就是非晶硅沉積後，再在其上沉積一層金屬，然後進行熱處理，熱處理溫度較低，大概400度左右。
當前熱門方法為金屬誘導晶化，金屬可以為AL、Ni等材質。

❷ 激光晶化是什麼意思

是一種物質的處理，其利用瞬間激光脈沖產生的高能量入射要處理的物質，激光可以使該物質瞬間上升到攝氏1000多度左右，使其從一種狀態轉變成晶體狀態。

❸ OLED 和 LTPS 這兩個屏幕那個好

LTPS-TFT LCD具有高解析度、反應速度快、高亮度、高開口率等優點，加上由於LTPS-TFT LCD的硅結晶排列較a-Si有次序，使得電子移動率相對高100倍以上，可以將外圍驅動電路同時製作在玻璃基板上，達到系統整合的目標、節省空間及驅動IC的成本。

同時，由於驅動IC線路直接製作於面板上，可以減少組件的對外接點，增加可靠度、維護更簡單、縮短組裝製程時間及降低EMI特性，進而減少應用系統設計時程及擴大設計自由度。

LTPS-TFT LCD最高技術是做到System on Panel，第1代LTPS-TFT LCD利用內建驅動電路和高性能畫素晶體管而達到高解析度和高亮度效果，已使得LTPS-TFT LCD和a-Si產生極大差別。

第2代LTPS-TFT LCD透過電路技術之進步，由模擬式介面進入數字式介面，降低耗電。此代LTPS-TFT LCD載子遷移率是a-Si TFT 100倍，電極圖案線寬是4μm左右，尚未充分活用LTPS-TFT LCD特性。

第3代LTPS-TFT LCD在周邊大規模集成電路（LSI）整合比第2代更完備，其目的是：（1）沒有周邊零件可使模塊更輕薄，也可以減少零件數量和組裝工時；（2）簡化信號處理可降低電力消耗；（3）搭載內存可讓消耗電力降至最低。

由於LTPS-TFT LCD液晶顯示器具有高解析度、高色彩飽和度、成本低廉的優勢，被寄予厚望成為新一波的顯示器。藉由其高電路整合特性與低成本的優勢，在中小尺寸顯示面板的應用上有著絕對的優勢。

ltps和ips屏幕區別在哪裡_哪個好

但是p-Si TFT存在兩個問題，一是TFT的關態電流（即漏電流）較大（Ioff=nuVdW/L）；二是高遷移率p-Si材料低溫大面積制備較困難，工藝上存在一定的難度。

它是由TFT LCD衍生的新一代的技術產品。LTPS屏幕是通過對傳統非晶硅（a-Si）TFT-LCD面板增加激光處理製程來製造的，元件數量可減少40%，而連接部分更可減少95%，極大的減少了產品出現故障的幾率。這種屏幕在能耗及耐用性方面都有極大改善，水平和垂直可視角度都可達到170度，顯示響應時間達12ms，顯示亮度達到500尼特，對比度可達500：1。

低溫p-Si驅動器的集成方式主要有三種：

一是掃描和數據開關的混合集成方式，即行電路集成在一起，開關及移位寄存器集成在列電路內，多路定址驅動器和放大器等用繼承電路外接在平板顯示屏上；

二是所有驅動電路全集成在顯示屏上；

三是驅動和控制電路均集成在顯示屏上。

IPS屏幕
IPS屏幕就是基於TFT的一種技術，其實質還是TFT屏幕。IPS屏幕（In-Plane Switching，平面轉換）技術是日立公司於2001推出的液晶面板技術，俗稱「Super TFT」。不過在市場能看到得型號不是很多。

特點

IPS面板最大的特點就是它的兩極都在同一個面上，而不像其它液晶模式的電極是在上下兩面，立體排列。該技術把液晶分子的排列方式進行了優化，採取水平排列方式，當遇到外界壓力時，分子結構向下稍微下陷，但是整體分子還呈水平狀。在遇到外力時，硬屏液晶分子結構堅固性和穩定性遠遠優於軟屏！所以不會產生畫面失真和影響畫面色彩，可以最大程度的保護畫面效果不被損害。此外還有一種S-IPS面板屬於IPS的改良型。

由於IPS技術的性能優異，許多廠家開始大量使用硬屏，大力推廣IPS硬屏技術，為消費者提供更高清晰和性能的液晶電視。硬屏液晶電視已經成為彩電行業的主流產品。

❹ a-SiGe的名稱是什麼

a-SiGe_x∶H薄膜準分子激光晶化

❺ 準分子激光退火和準分子激光晶化的區別

激光退火技術開始主要用於修復離子注入損傷的半導體材料,特別是硅.傳統的加熱退火技術是把整個工件放在真空爐中,在一定的溫度(300°～1200℃)保溫退火10～60min[1].

❻ 光功能復合材料

要具體就舉個光功能透明玻璃陶瓷方面的吧。
制備透明玻璃陶瓷的方法主要有以下三種:
1)融熔急冷法。這是制備玻璃陶瓷的傳統方法，
現在仍然廣泛使用。其工藝過程是:在份體原料中加
人一定量的晶核劑，於高溫均勻融熔後，將熔體倒人
模具冷卻成型，經適當退火消除內應力，得到前驅玻
璃相。此後，在一定溫度下熱處理，通過特定第二相的
可控晶化獲得玻璃陶瓷。該工藝簡便快捷，成本較低，
但原料高溫融熔過程中的組分揮發和柑禍污染易使
材料最終組分偏離設計值。玻璃陶瓷的尺寸由玻璃熔
體急冷時使用的銅模具所決定，在目前工藝條件下，
要保持良好的組分、結構一致性和光透明性，玻璃陶
瓷一般為直徑不大於100 mm的圓片。隨著制備技術
的改善，如採用雙輥壓延工藝代替模具實現熔體急
冷，將大幅提高透明玻璃陶瓷片的面積。
2)溶膠一凝膠法。將易於水解的金屬化合物(無機
鹽或金屬醇鹽)在溶劑中與水發生反應，經過水解和
縮聚生成凝膠，再經乾燥以及加熱晶化後得到所需材
料。近十多年來，這種方法成為玻璃與陶瓷等先進材
料制備技術的研究熱點。該方法具有處理溫度低(特
別適用於高熔點材料)、組分可以精確控制並在分子
水平上均勻分布等優點。但塊體材料的化學穩定性和
機械性能較差使其應用受到限制。此外，材料里易殘
留大量的經基和碳，對材料的發光有很大的負面影
響。
3)激光誘導晶化法。利用激光對玻璃樣品進行連
續輻照，可以使少量的玻璃相在激光斑點區域受熱熔
融，隨後在冷卻過程中發生晶相成核與長大，在玻璃
基體中形成具有相同化學組分的晶體。近來，隨著激
光技術的迅速發展，採用不同波長、不同模式的激光
器開展玻璃相內誘導晶體可控生長的研究屢見報
道f4-?1，顯示了激光誘導晶化法在制備特殊結構玻璃
陶瓷方面的獨特優勢。值得指出的是，該法目前尚處
於初始發展階段，技術方面還有許多不成熟之處，如
對誘導出的晶體的形狀、尺度和種類還不能進行有效
的控制。

❼ AMOLED技術有哪些

AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩陣有機發光二極體面板。相比傳統的液晶面板，AMOLED具有反應速度較快、對比度更高、視角較廣等特點。因為AMOLED不管在畫質、效能及成本上，先天表現都較TFT LCD優勢很多。

在顯示效能方面，AMOLED反應速度較快、對比度更高、視角也較廣，這些是AMOLED天生就勝過TFT LCD的地方；另外AMOLED具自發光的特色，不需使用背光板，因此比TFT更能夠做得輕薄，而且更省電；還有一個更重要的特點，不需使用背光板的AMOLED可以省下佔TFT LCD 3~4成比重的背光模塊成本。

當然AMOLED最大的問題還是在良率，以目前的良率，AMOLED面板的價格足足高出TFT LCD 50%，這對客戶大量採用的意願，絕對是一個門檻，而對奇晶而言，現階段也還在調良率的練兵期，不敢輕易大量接單。
AMOLED技術有：
(1)金屬氧化物技術(Metal oxide TFT)
這種生產技術目前被很多廠家及專業調查公司看好，並認為是將來大尺寸AMOLED技術路線的首選，各個公司也有相應的大尺寸樣品展出。
該技術TFT基板在加工過程中，可採取液晶行業中常見的、成熟的大面積的濺鍍成膜的方式，氧化物為InGaO3(ZNO)5，盡管這種器件的電子遷移率較LTPS技術生產出來的產品要低，基本為10 cm2/V-sec，但這個遷移率參數為非晶硅技術器件的10倍以上，該器件電子遷移率完全能夠滿足AMOLED的電流驅動要求，因此可以應用於OLED的驅動。
目前金屬氧化物技術還處於實驗室驗證階段，世界上沒有真正進行過量產的經驗，主要的因素是其再現性及長期工作穩定性還需要進一步改善和確認。

(2)低溫多晶硅技術(LTPS TFT)
該技術是目前世界上唯一經過商業化量產驗證、在G4.5代以下生產線相當成熟的AMOLED生產技術。
該技術和非晶硅技術主要的區別是利用激光晶化的方式，將非晶硅薄膜變為多晶硅，從而將電子遷移率從0.5提高到50-100 cm2/V-s，以滿足OLED電流驅動的要求。
該技術經過多年的商業化量產，產品性能優越，工作穩定性好，同時在這幾年的量產中，其良品率已得到很大的提高，達到90%左右，極大的降低了產品成本。

(3)非晶硅技術(a-Si TFT)
非晶硅技術最成功的應用是在液晶生產工藝中，目前的LCD 廠家，除少數使用LTPS技術外，絕大部分使用的是a-Si技術。
a-Si技術在液晶領域成熟度高，其器件結構簡單，一般都為1T1C(1個TFT薄膜晶體管電路，1個存儲電容)，生產製造使用的Mask數量為4—5，目前也有廠家在研究3Mask工藝。

(4)微晶硅技術(Microcrystalline Silicon TFT)
微晶硅技術在材料使用和膜層結構上，和LCD常見的非晶硅技術基本上是相同的。
微晶硅技術器件的電子遷移率可達到1—10 cm2/V-s，是目前索尼選擇的技術。
這種技術雖然也能達到驅動OLED的目的，但由於其電子遷移率低，器件顯示效果差，目前選擇作為研究方向的廠家較少。

(5)、有機膜蒸鍍技術路線選擇
有機層形成方式，可分為傳統方式和新型方式。傳統方式是以氣相沉積技術為基礎的，而新興方式是以轉印和印刷技術為基礎的。
新興方式中轉印技術由三星和3M聯合開發和研製；印刷技術主要由愛普生開發和研製。這兩種方法最大的優點是提高材料使用率和簡化生產製程，但其技術和材料具有一定的壟斷性，目前還不具備量產的能力。

(6)、光射出方式技術路線選擇
目前OLED器件有兩種光出射方式：底發光和頂發光，下表是這兩種方式的對比：
底發光技術工藝成熟，選擇風險小，甚至沒有風險。頂發光製作工藝有兩個難點，一是陰極製作，另一個就是封裝方式。盡管頂部發光困難尚存，但已是趨勢所在(最少在背板材料沒有新的突破下)。但從長遠看，如果背板材料有了新的突破，如遷移率和均勻性得到質的改善，那麼底發光就有更低成本的優勢。總體而言，採用a-Si背板，頂發光是較好的選擇；P-Si背板就可以考慮底發光方式。

❽ 請詳細介紹一下南京大學物理學科方面的相關信息

NJU
物理學院 3年來的國內讀研率 出國進修率
2011
49.25% 21.89%
2010
55.43% 28.80%
2009
41.41% 33.84%
數據來自官方，出國率不如北大與科大的物理系，出路主要是繼續讀研，少數的人選擇了工作
南大物理系很好，上次應該是教育部學科評估的第一。
如有疑問，請繼續追問